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CVD / CVI Beschichtungssysteme

Typ CVD

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Beschreibung

Thermisch induzierte chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) ist eine leistungsstarke Möglichkeit zur Abscheidung von gleichmäßigen Schichten aus verschiedenen dielektrischen, halbleitenden und metallischen Materialien, entweder in monokristallinem, polykristallinem, amorphem oder epitaktischem Zustand auf klein- oder großflächigen Substraten.

Typische Beschichtungsmaterialien sind unter anderem pyrolytischer Kohlenstoff, Siliziumcarbide, Bornitride. Durch die Verwendung von synthetischen Vorprodukten sind die Beschichtungen äußerst rein und erfüllen die typischen Anforderungen der Halbleiterindustrie.

Je nach Prozessparameter ist ein breites Spektrum an Schichtdicken möglich, von einzelnen oder wenigen Atomschichten bis hin zu festen Schutz- oder Funktionsschichten mit einer Dicke im Bereich von wenigen Nanometern bis zu hunderten Mikrometers und darüber hinaus bis hin zu monolithischen Teilen mit einer Dicke von mehreren Millimetern.

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Hauptspezifikationen

Anwendungstemperaturen bis 2200 °C

  • Mehrzonenheizung
  • rotierender Drehteller
  • Abgasnachbehandlung
  • kontrollierte Abscheidung und Aufbereitung von Nebenprodukten
  • Gasaufbereitung und Gasphasenabscheidung für SiC, Si3N4, BN und AlN
  • SiC: CH3SiCl3 → SiC + 3HCl
  • Si3N4: 3SiCl4 + 4NH3 → Si3N4 + 12HCl
  • BN: BCl3 + NH3 → BN + 3HCl
  • AlN: AlCl3 + NH3 → AlN + 3HCl

 

CVD
Standardtypen
nutzbare Abmessungen  (Ø/h) [mm] nutzbare  
Volumen
[dm3]
max. Beladung  [kg] max.
Temperatur
[°C]
max.
Heizleistung
[kW]
CVD 30 360 x 295 30 ≤ 25 1600 45
CVD 175 530 x 800 175 ≤ 100 1600 150
CVD 900   900 x 1400 900 ≤ 400 1600 300
CVD 2500  1400 x 1700 2600 ≤ 600 1600 500
FS W 500-CVI 1000 x 600 500 ≤ 450 1600 300

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