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Halbleiterindustrie
Sputter Targets, hochreines SiC, CVD Beschichtungen, Funktionskeramiken
Spark Plasma Sinteranlagen
Typ HP D / H-HP D – widerstandsbeheizt
Mit Hilfe dieser Anlagenreihe können Werkstoffe im direkten Stromdurchgang (gepulster Gleichstrom) oder/und zusätzlich mit radialer Erwärmung in kürzesten Zeiten verdichtet werden. Die hier zum Einsatz kommenden Werkstoffsysteme sind nahezu unbegrenzt.
Uniaxiale Heißpresse
Typ HP W – widerstandsbeheizt
Heißpressen sind geeignet, um eine Vielzahl verschiedener Werkstoffe sicher zu verdichten.
CVD / CVI
Anlagen zum Beschichten / Infiltrieren aus der Gasphase
CVD Analgen ermöglichen das Abscheiden verschiedener Schichten (wie z. Bsp. SiC, pyrolytisched BN (PBN), pyrolytischer Kohlenstoff (PyC) mit höchsten Reinheiten und Dichten.
Gasdrucksinteröfen
Typ FP W - widerstandsbeheizt
Gasdrucksinteranlagen sind geeignet, um zweiphasige Werksoffsysteme wie Si3N4, SIALONE, AlN oder Mischkeramiken unter Anwendung von Überdruck (bis 10 MPa) maximal zu verdichten. Darüber hinaus kommen solche Gasdrucksinteranlagen auch für Syntheseprozesse zum Einsatz, um das chemische Gleichgewicht gezeilt durch Überdruck zu beeinflussen.
