描述

热诱导化学气相沉积（CVD）是一种强大的方法，可在小面积或大面积的基底上沉积均匀的电介质、半导体或金属材料薄膜，这些薄膜可以是单晶、多晶、非晶或外延结构。

典型的涂层材料包括热解碳、碳化硅和氮化硼。通过使用合成前驱体，所获得的涂层具有极高的纯度，能够满足半导体工业的严格要求。

根据工艺参数的不同，可以实现从单原子层到功能性或保护性涂层的各种厚度，厚度范围从几纳米到几百微米，甚至可以制备厚达数毫米的整体结构部件。