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Systèmes de revêtement CVD / CVI

Type CVD

Systèmes de revêtement CVD / CVI
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Systèmes de revêtement CVD / CVI

Description

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) induit thermiquement est une méthode puissante permettant de déposer des couches uniformes de différents matériaux diélectriques, semi-conducteurs ou métalliques, sous forme monocristalline, polycristalline, amorphe ou épitaxiale, sur des substrats de petite ou grande surface.

Les matériaux de revêtement typiques incluent le carbone pyrolytique, les carbures de silicium et les nitrures de bore. L’utilisation de précurseurs synthétiques permet d’obtenir des revêtements d’une très grande pureté, répondant aux exigences de l’industrie des semi-conducteurs.

Selon les paramètres du procédé, une large gamme d’épaisseurs de couche est possible, allant de quelques couches atomiques à des revêtements protecteurs ou fonctionnels épais de quelques nanomètres à plusieurs centaines de micromètres, voire jusqu’à des pièces monolithiques de plusieurs millimètres d’épaisseur.

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Spécifications principales

  • Températures d’utilisation jusqu’à 2200 °C
  • Chauffage à zones multiples
  • Plateau tournant rotatif
  • Post-traitement des gaz d’échappement
  • Dépôt contrôlé et traitement des sous-produits
  • Préparation des gaz et dépôt en phase vapeur pour SiC, Si₃N₄, BN et AlN

SiC : CH₃SiCl₃ → SiC + 3HCl
Si3N4: 3SiCl4 + 4NH3 → Si3N4 + 12HCl
BN: BCl3 + NH3 → BN + 3HCl
AlN: AlCl3 + NH3 → AlN + 3HCl

 

CVD
Types standard
Dimensions utiles  (Ø/h) [mm] Dimensions utiles
[dm3]
Charge maximale  [kg] Température max.
[°C]
Puissance de chauffage max.
[kW]
CVD 30 360 x 295 30 ≤ 25 1600 45
CVD 175 530 x 800 175 ≤ 100 1600 150
CVD 900   900 x 1400 900 ≤ 400 1600 300
CVD 2500  1400 x 1700 2600 ≤ 600 1600 500
FS W 500-CVI 1000 x 600 500 ≤ 450 1600 300
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