CVD / CVI Beschichtungssysteme
chemische Gasphasenabscheidung und Gasphaseninfiltration
Thermisch induzierte chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) ist eine leistungsstarke Möglichkeit zur Abscheidung von gleichmäßigen Schichten aus verschiedenen dielektrischen, halbleitenden und metallischen Materialien, entweder in monokristallinem, polykristallinem, amorphem oder epitaktischem Zustand auf klein- oder großflächigen Substraten.
Typische Beschichtungsmaterialien sind unter anderem pyrolytischer Kohlenstoff, Siliziumcarbide, Bornitride. Durch die Verwendung von synthetischen Vorprodukten sind die Beschichtungen äußerst rein und erfüllen die typischen Anforderungen der Halbleiterindustrie.
Je nach Prozessparameter ist ein breites Spektrum an Schichtdicken möglich, von einzelnen oder wenigen Atomschichten bis hin zu festen Schutz- oder Funktionsschichten mit einer Dicke im Bereich von wenigen Nanometern bis zu hunderten Mikrometers und darüber hinaus bis hin zu monolithischen Teilen mit einer Dicke von mehreren Millimetern.
Thermisch induzierte chemische Gasphaseninfiltration (englisch chemical vapor infiltration, CVI) ist eine CVD-bezogene Technologie zur Infiltration von Matrixmaterial in poröse oder faserige Vorformlinge, um Bauteile aus Verbundwerkstoffen mit verbesserten mechanischen Eigenschaften, Korrosionsbeständigkeit, Wärmeschockbeständigkeit und geringen Restspannungen herzustellen.
Es können komplexe Formen in einer Vielzahl von Größen und Zusammensetzungen hergestellt werden. Durch Umschalten zwischen mehreren Gasöffnungen können die porösen oder faserigen Vorformlinge mit mehrschichtigen Grenzflächenschichten beschichtet werden, bevor mit der tatsächlichen Abscheidung der Matrix selbst begonnen wird.
CVD Methode:
Gasphasenabscheidung für SiC, Si3N4, BN und AlN
SiC:
CH3SiCl3 → SiC + 3HCl
Si3N4:
3SiCl4 + 4NH3 → Si3N4 + 12HCl
BN:
BCl3 + NH3 → BN + 3HCl
AlN:
AlCl3 + NH3 → AlN + 3HCl
Standardtypen:

CVD Anlage - Abscheidungsverfahren
Typ: KCE®-FCT CVD 900