CVD / CVI 气相沉积炉

热诱导化学气相沉积（英语：chemical vapor deposition，CVD）是用于各种电介质，半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式，无论是单晶，多晶，无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳，碳化硅，氮化硼。

通过使用合成前体，涂层非常纯净并且满足半导体工业的典型要求。根据工艺参数，可以有多种层厚度，从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层，以及厚度达100微米的单片部件，甚至高达数毫米。

热诱导的化学气相渗透（英语：chemical vapor infiltration，CVI）是一个与CVD有关的技术，以在基体材料渗入多孔或纤维预成型件以制备由复合材料制成的部件具有改善的机械性能，耐腐蚀性，耐热冲击性和低残余应力。

适用于结构复杂的各种尺寸和形状。通过多个气体开口之间切换时，在实际沉积作用前， 多孔的或纤维预成型件可以涂覆有多层涂层。

CVD 气相沉积方式：

气相沉积SiC，Si3N4，BN和AlN

SiC:

CH₃SiCl₃ → SiC + 3HCl 

Si₃N₄:

3SiCl₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12HCl

BN:

BCl₃ + NH₃ → BN + 3HCl

AlN:

AlCl₃ + NH₃ → AlN + 3HCl