CVD / CVI coating systems

La CVD induite thermiquement est un outil puissant pour le dépôt de revêtements conformes composés de divers matériaux diélectriques, semi-conducteurs et métalliques, soit à l’état monocristallin, polycristallin, amorphe ou épitaxial, sur des substrats de petite ou grande surface. Les matériaux de revêtement typiques sont le carbone pyrolytique, le carbure de silicium, le nitrure de bore, entre autres. Grâce à l’utilisation de précurseurs synthétiques, les revêtements sont extrêmement purs et répondent aux exigences typiques de l’industrie des semi-conducteurs. Une large gamme d’épaisseurs de revêtement est possible, en fonction des paramètres de procédé : de quelques couches atomiques jusqu’à des revêtements protecteurs ou fonctionnels solides, dont l’épaisseur varie de quelques dizaines de nanomètres à plusieurs centaines de micromètres, voire jusqu’à des pièces monolithiques atteignant plusieurs millimètres.

La CVI induite thermiquement est une technologie apparentée à la CVD, utilisée pour l’infiltration de matériau matriciel dans des préformes poreuses ou fibreuses, afin de produire des pièces en matériaux composites présentant des propriétés mécaniques améliorées, une résistance à la corrosion, une résistance au choc thermique et de faibles contraintes résiduelles. Des formes complexes, dans une large gamme de tailles et de compositions, peuvent être fabriquées. En commutant entre plusieurs arrivées de gaz, les préformes poreuses ou fibreuses peuvent être revêtues de films d’interface multicouches avant le dépôt proprement dit de la matrice.

Méthodes de CVD:

dépôt en phase gazeuse SiC, Si₃N₄, BN and AlN

SiC:

CH₃SiCl₃ → SiC + 3HCl 

Si₃N₄:

3SiCl₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12HCl

BN:

BCl₃ + NH₃ → BN + 3HCl

AlN:

AlCl₃ + NH₃ → AlN + 3HCl