Системы покрытия CVD / CVI

Термически индуцированное газофазное осаждение (англ.: chemical vapor deposition, CVD) представляет собой высокоэффективную возможность осаждения равномерных покрытий из различных диэлектрических, полупроводниковых и металлических материалов (либо в моно- / поликристаллическом, аморфном, либо в эпитаксиальном состоянии) на малых или больших подложках.

Типичными материалами покрытия, кроме всего прочего, являются пиролитический углерод, карбид кремния, нитрид бора. Благодаря применению синтетического сырья, покрытия получаются сверхчистыми, они соответствуют всем типовым требованиям индустрии полупроводников.

В зависимости от параметров процесса, возможен широкий спектр значений толщины покрытий: от покрытий толщиной в один или несколько атомов до твердых защитных или функциональных покрытий толщиной от нескольких нанометров до сотен микрометров и, сверх того, до монолитных изделий толщиной в несколько миллиметров.

Термически индуцированная инфильтрация газовой фазы (англ.: chemical vapor infiltration, CVI) – это технология на базе метода CVD для инфильтрации матричного материала в пористых или волокнистых заготовках с целью изготовления изделий из композитных материалов с улучшенными механическими свойствами, коррозионной устойчивостью, устойчивостью к термоударам и малым внутренним напряжением.

Возможно изготовление сложных форм разнообразных размеров и составов. Благодаря переключению между несколькими газовыми отверстиями, можно покрывать пористые или волокнистые заготовки многослойными пограничными покрытиями перед началом фактического осаждения самой матрицы.

Метод CVD:

Газофазное осаждение для SiC, Si3N4, BN и AlN

SiC:                                               

CH3SiCl3 → SiC + 3HCl

Si3N4:

3SiCl4 + 4NH3 → Si3N4 + 12HCl

BN:

BCl3 + NH3 → BN + 3HCl

AlN:

AlCl3 + NH3 → AlN + 3HCl